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NGTB25N120FLWG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 IGBT의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | NGTB25N120FLWG 온세미컨덕터 반도체 | IGBT NGTB25N120FLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB05N60R2DT4G | IGBT NGTB05N60R2DT4G
IGBT 600V, 8A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Reverse Conducting II IGBT IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5 s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
Electrical Connec |
ON Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB10N60FG | N-Channel IGBT Ordering number : ENA2283A
NGTB10N60FG
N-Channel IGBT
600V, 10A, VCE(sat);1.5V, TO-220F-3FS
http:, , onsemi.com
Features
IGBT VCE (sat)=1.5V typ. (IC=10A, VGE=15V) IGBT IC=20A (Tc=25°C) Adaption of full isolation type package
5μs short circuit capability
Diode VF=1.3V typ.(IF=10A) Diode |
ON Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB10N60R2DT4G | IGBT NGTB10N60R2DT4G
IGBT 600V, 10A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Reverse Conducting II IGBT IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V] IGBT tf=65ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A] Diode trr=90ns (typ) 5 s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
Electrical Conn |
ON Semiconductor |
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