NTD60N02RT4G 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET 62 A / 24 V / N-Channel / DPAK의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	NTD60N02RT4G ON	Power MOSFET 62 A / 24 V / N-Channel / DPAK NTD60N02R Power MOSFET Features 62 A, 24 V, N Channel, DPAK Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements in High Efficiency DC DC Converters Pb Free P
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
NTD	HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS NTD HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS DIFFUSED SILICON JUNCTIONS PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS AVALANCHE CHARACTERISTICS LOW LEAKAGE Peak EDI Type No. Reverse V oltage PRV (V olts) Avg. Fwd.Current o at 50 C (mA) Max. Fwd. Voltage Drop at 25 C And I O V F (Volts) o Length L Fig.3 NTD 08	EDI
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
NTD	HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS NTD HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS DIFFUSED SILICON JUNCTIONS PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS AVALANCHE CHARACTERISTICS LOW LEAKAGE Peak EDI Type No. Reverse V oltage PRV (V olts) Avg. Fwd.Current o at 50 C (mA) Max. Fwd. Voltage Drop at 25 C And I O V F (Volts) o Length L Fig.3 NTD 08	EDI
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
NTD08	HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS NTD HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS DIFFUSED SILICON JUNCTIONS PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS AVALANCHE CHARACTERISTICS LOW LEAKAGE Peak EDI Type No. Reverse V oltage PRV (V olts) Avg. Fwd.Current o at 50 C (mA) Max. Fwd. Voltage Drop at 25 C And I O V F (Volts) o Length L Fig.3 NTD 08	EDI

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