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NTE332 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1NTE332

NTE		Silicon Complementary Transistors

NTE331 (NPN) & NTE332 (PNP) Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch Description: The NTE331 (NPN) and NTE332 (PNP) are silicon epitaxial base complementary power transistors in a TO 220 plastic package intended for use in power linear and switching applications. Absolute Maximum
NTE
2NTE3320

NTE		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Emitter V
NTE
3NTE3321

NTE		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch

NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Emitter V
NTE
4NTE3322

NTE		Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Emitter V
NTE

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NTE0303M Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters

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C&D Technologies		 datasheet NTE0303M pdf

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