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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | NVMFD5852NLWF 온세미컨덕터 반도체 | Power MOSFET ( Transistor ) NVMFD5852NL, NVMFD5852NLWF Power MOSFET
Features
40 V, 6.9 mW, 44 A, Dual N Channel Logic Level, Dual SO 8FL
http:, , onsemi.com
V(BR)DSS 40 V RDS(on) MAX 6.9 mW @ 10 V 12.0 mW @ 4.5 V Dual N Channel D1 Value 40 "20 44 31 PD ID 27 13 15 10.6 PD IDM TJ, Tstg IS EAS 3.2 1.6 329 55 to 175 40 80 A °C |  |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NVM3060 | 4096-Bit EEPROM NVM 3060 4096-Bit EEPROM
Edition Feb. 14, 1990 6251-309-2, E
ITT Semiconductors
NVM 3060
Contents Page 3 4 4 4 4 5 5 5 5 7 8 8 8 8 8 9 9 9 9 10 Section 1. 2. 2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. 2.5.1. 2.5.2. 2.5.3. 3. 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 4. 4.1. 4.2. 4.3. 5. Title Introduction Specifications Outline Dimensi |
 ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NVMD4N03 | Power MOSFET ( Transistor ) NTMD4N03, NVMD4N03 Power MOSFET
Features
4 A, 30 V, N Channel SO 8 Dual
Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On Resistance Provides
Higher Efficiency and Extends Battery Life RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) Miniatu |
ON Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NVMD6N03R2 | Power MOSFET ( Transistor ) NTMD6N03R2, NVMD6N03R2 Power MOSFET
30 V, 6 A, Dual N-Channel SOIC-8
Features http:, , onsemi.com
VDSS 30 V RDS(ON) Typ 24 mΩ @ VGS = 10 V ID Max 6.0 A
Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On--Resistance Provides
Higher Efficiency and Extends Battery Life |
ON Semiconductor |
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