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NX5530SA 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 InGaAsP MQW-FP LASER DIODE의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | NX5530SA California Eastern Labs | InGaAsP MQW-FP LASER DIODE LASER DIODE
NX5530SA
1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE FOR OTDR APPLICATIONS
DESCRIPTION
The NX5530SA is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode. Reflectometer (OTDR). This device is specified to operate under pulsed condition and designed for light source |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NX5032SA | Crystal Units CRYSTAL UNITS
For Mobile Communication SURFACE MOUNT TYPE CRYSTAL UNITS , NX5032SA
This is highly precise small-sized surface-mounted crystal unit optimum for applications in mobile communications.
■ Features
8 Compact and thin (5.0 × 3.2 × 0.75 mm typ.). 8 Standard Nominal Frequency for PLL-s |
 ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NX5032SD | Crystal Units Specification of Crystal Units
1 NDK Part Number 2 NDK Specification Number 3 Type
4 Electrical Characteristics 4.1 Nominal Frequency (f nom)
4.2 Overtone order 4.3 Frequency Tolerance 4.4 Frequency Versus
Temperature Characteristics 4.5 Equivalent Series Resistance (R r ) 4.6 Shunt Capacitance (C |
ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NX5302 | InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE NEC's 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE NX5302 Series FOR FIBER OPTIC COMMUNICATIONS
FEATURES
OPTICAL OUTPUT POWER: PO = 5.0 mW LOW THRESHOLD CURRENT : ITH = 10 mA HIGH SPEED: tr = 0.15 ns MAX tf = 0.3 ns MAX WIDE OPERATING TEMPERATURE RANGE: TC = -40 to +85°C InGaAs MONITOR PI |
 CEL |
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