P0860ETF 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-Channel Field Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	P0860ETF UNIKC	N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0860ETF , P0860ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 600V 1.05Ω @VGS = 10V ID 8A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 600 Gate-Source Voltag
2	P0860ETF NIKO-SEM	N-Channel Field Effect Transistor NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode P0860ETF:TO-220F P0860ETFS:TO-220FS Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 600V 1.05Ω ID 8A D G S ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL Drain-Source
3	P0860ETFS UNIKC	N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0860ETF , P0860ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 600V 1.05Ω @VGS = 10V ID 8A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 600 Gate-Source Voltag
4	P0860ETFS NIKO-SEM	N-Channel Field Effect Transistor NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode P0860ETF:TO-220F P0860ETFS:TO-220FS Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 600V 1.05Ω ID 8A D G S ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL Drain-Source
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
P0803BDG	N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0803BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 9.2mΩ @VGS = 10V ID 60A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous D	UNIKC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
P0803BVG	N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0803BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 8mΩ @VGS = 10V ID 13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current Pulsed Drain Curre	UNIKC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
P0804BD	N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0804BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 40V 8.5mΩ @VGS = 10V ID 50A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dr	UNIKC

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