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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | P4NA40F1 ST Microelectronics | STP4NA40F1 STP4NA40 STP4NA40FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP4NA40 STP4NA40FI
s s s s s s s
V DSS 400 V 400 V
R DS( on) < 2Ω < 2Ω
ID 4A 2.8 A
TYPICAL RDS(on) = 1.7 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTR |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| P4N05L | RFP4N05L RFP4N05L, RFP4N06L
Data Sheet
July 1999
File Number
2876.2
4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
The RFP4N05L and RFP4N06L are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching con |
 Intersil Corporation |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| P4N60 | SSP4N60
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.)
SSP4N60AS
BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A
T |
 Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| P4N80E | MTP4N80E
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Designer's
TMOS E-FET .™ Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate
This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage blocking capability without degrading performance over time. In additio |
 Motorola Semiconductors |
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