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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | PHB10N40 NXP Semiconductors | PowerMOS transistor Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHB10N40
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor PHB100N03LT
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Rev. 01 07 September 2000
M3D166
Product speci cation
1. Description
N-channel enhancement mode eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHB100N03LT in SOT404 (D2-PAK).
2. Featu |
NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| PHB101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET PHB, PHD101NQ03LT
TrenchMOS™ logic level FET
Rev. 02 25 February 2003 Product data
1. Description
N-channel logic level eld-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHB101NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD101NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
2. Featu |
NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| PHB101NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP, PHB101NQ04T
N-channel TrenchMOS™ standard level FET
Rev. 01 12 May 2004 Product data
1. Product pro le
1.1 Description
N-channel enhancement mode eld-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.
1.2 Features
s Standard level threshold s Very low on-state r |
NXP Semiconductors |
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