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PTF210301E 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W/ 2110-2170 MHz의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | PTF210301E Infineon Technologies AG | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W/ 2110-2170 MHz PTF210301
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110 2170 MHz
Description
The PTF210301 is a 30 W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
Features
Broadband internal m | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
PTF | Metal Film Resistors www.vishay.com
PTF
Vishay Dale
Metal Film Resistors, High Precision, High Stability
FEATURES
Extremely low temperature coefficient of resistance
Very low noise and voltage coefficient Very good high frequency characteristics Can replace wirewound bobbins Proprietary epoxy coating provides su |
![]() Vishay |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
PTF080101 | LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ |
![]() Infineon Technologies AG |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
PTF080101S | LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ |
![]() Infineon Technologies AG |
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