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PTFB241402F 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1PTFB241402F

Infineon Technologies
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

PTFB241402F High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 2400 MHz Description The PTFB241402F integrates two LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed for cellular amplifier applications in the 2300 to 2400 MH- frequency band. Manufactured with Infineon’s advanc
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datasheet PTF pdf
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PTF080101 LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
datasheet PTF080101 pdf
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PTF080101S LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
datasheet PTF080101S pdf

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