PYA28C64 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 STATIC CMOS RAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	PYA28C64 PYRAMID	EEPROM FEATURES Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Single 5V±10% Power Supply Fast Byte Write (200 s or 1 ms) Low Power CMOS: - 60 mA Active Current - 150 A Standby Current Fast Write Cycle Time RDY, BUSY pin is not connected for the PYA28C64X PYA28C64(X) 8K X 8 EEPROM CMOS & TTL Com
2	PYA28C64B PYRAMID	STATIC CMOS RAM FEATURES Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Single 5V±10% Power Supply Simple Byte and Page Write Low Power CMOS: - 40 mA Active Current - 100 A Standby Current Fast Write Cycle Times PYA28C64B 8K x 8 EEPROM Software Data Protection CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
PYA28C010	EEPROM FEATURES Access Times of 120, 150, 200, and 250ns Single 5V±10% Power Supply Simple Byte and Page Write Low Power CMOS: - 60 mA Active Current - 500 A Standby Current Fast Write Cycle Times PYA28C010 128K x 8 EEPROM Software Data Protection Fully TTL Compatible Inputs and Outputs	PYRAMID
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
PYA28C16	EEPROM FEATURES Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Single 5V±10% Power Supply Fast Byte Write (200 s or 1 ms) Low Power CMOS: - 60 mA Active Current - 150 A Standby Current Fast Write Cycle Time - DATA Polling CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs PYA28C16 2K X 8 EEPROM Endurance:	PYRAMID
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
PYA28C16B	EEPROM FEATURES Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Single 5V±10% Power Supply Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum Low Power CMOS: - 60 mA Active Current - 150 A Standby Current Fast Write Cycle Time - DATA Polling CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs PYA28C16B 2K X 8 EEPROM End	PYRAMID

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