Q62702-C25 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 NPN Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver and output stages High collector current)의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	Q62702-C25 Siemens Semiconductor Group	NPN Silicon AF Switching Transistor (For general AF applications High breakdown voltage) NPN Silicon AF Switching Transistor For general AF applications q High breakdown voltage q Low collector-emitter saturation voltage q Complementary type: BCX 13 (PNP) q 2 BCX 12 3 1 Type BCX 12 Marking BCX 12 Ordering Code Q62702-C25 Pin Configuration 1 2 3 C B E Package1) TO-92 Maximum Rati
2	Q62702-C2517 Siemens Semiconductor Group	PNP Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver and output stages High collector current) BCP 72M PNP Silicon AF Power Transistor Preliminary data Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage 4 5 3 2 1 VPW05980 Type BCP 72M Marking Ordering Code Pin Configuration PAs Q62702-C2517 Package
3	Q62702-C252 Siemens Semiconductor Group	PNP SILICON TRANSISTORS
4	Q62702-C2529 Siemens Semiconductor Group	NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain) BC 846S NPN Silicon AF Transistor Array For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package 4 5 6 2 1 3 VPS05604 Type BC 846S Marking Ordering Code 1Ds Q62702-C
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
Q62607-S60	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell TP 60 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell TP 60 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben, Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet f r Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1120 nm q Kathode = Chipunterseite q Montage durch Schraube, M	Siemens Semiconductor Group
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
Q62607-S61	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell TP 61 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell TP 61 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben, Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet f r Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1120 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisen	Siemens Semiconductor Group
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
Q627002G0078	GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones) CGY 81 GaAs MMIC l l l l l Tri mode power amplifier for AMPS, CDMA , TDMA portable cellular phones 31 dBm saturated output power @ PAE=55% typ. 29 dBm linear output power@ PAE=40% typ. Fully integrated 2 stage amplifier Power ramp control Input matched to 50 ohms, simple output match ESD: Electr	Siemens Semiconductor Group

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