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QL85I6SA 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Infrared Laser diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | QL85I6SA Roithner | Infrared Laser diode QL85I6SA
TECHNICAL DATA
Infrared Laser Diode
Features
AlGaAs laser diode Peak Wavelength: 850 nm Optical Ouput Power: 5 mW Package: 5.6 mm, with Photo Diode
Electrical Connection
Pin Configuration
m-type PIN Function
1 LD Cathode 2 LD Anode, PD Cathode 3 PD Anode
Bottom View
Absolute Maximum R |  |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| QL8025 | LOW POWER FPGA COMBINING PERFORMANCE DENSITY AND EMBEDED RAM (FOLSVH,, )DPLO\ 'DWD 6KHHW
, RZ 3RZHU )3*$ &RPELQLQJ 3HUIRUPDQFH 'HQVLW\ DQG (PEHGGHG 5$0
'HYLFH +LJKOLJKWV
)OH[LEOH 3URJUDPPDEOH , RJLF
0.18 , six layer metal CMOS process 1.8 V Vcc, 1.8, 2.5, 3.3 V drive capable I, O Up to 4,008 dedicated flip-flops Up to 55.3 K embedded RAM Bits |
 ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| QL8050 | LOW POWER FPGA COMBINING PERFORMANCE DENSITY AND EMBEDED RAM (FOLSVH,, )DPLO\ 'DWD 6KHHW
, RZ 3RZHU )3*$ &RPELQLQJ 3HUIRUPDQFH 'HQVLW\ DQG (PEHGGHG 5$0
'HYLFH +LJKOLJKWV
)OH[LEOH 3URJUDPPDEOH , RJLF
0.18 , six layer metal CMOS process 1.8 V Vcc, 1.8, 2.5, 3.3 V drive capable I, O Up to 4,008 dedicated flip-flops Up to 55.3 K embedded RAM Bits |
ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| QL8150 | LOW POWER FPGA COMBINING PERFORMANCE DENSITY AND EMBEDED RAM (FOLSVH,, )DPLO\ 'DWD 6KHHW
, RZ 3RZHU )3*$ &RPELQLQJ 3HUIRUPDQFH 'HQVLW\ DQG (PEHGGHG 5$0
'HYLFH +LJKOLJKWV
)OH[LEOH 3URJUDPPDEOH , RJLF
0.18 , six layer metal CMOS process 1.8 V Vcc, 1.8, 2.5, 3.3 V drive capable I, O Up to 4,008 dedicated flip-flops Up to 55.3 K embedded RAM Bits |
ETC |
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