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R1LV0408CSP 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword 8-bit)의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1R1LV0408CSP

Renesas
4M SRAM (512-kword × 8-bit)
Renesas
2R1LV0408CSP-5SI

Hitachi Semiconductor
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword 8-bit)

R1LV0408C-I Series Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit) REJ03C0098-0200Z Rev. 2.00 May.25.2004 Description The R1LV0408C-I is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. R1LV0408C-I Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by empl
Hitachi Semiconductor
3R1LV0408CSP-5SI

Hitachi Semiconductor
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword 8-bit)

R1LV0408C-I Series Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit) REJ03C0098-0200Z Rev. 2.00 May.25.2004 Description The R1LV0408C-I is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. R1LV0408C-I Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by empl
Hitachi Semiconductor
4R1LV0408CSP-7LI

Hitachi Semiconductor
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword 8-bit)

Hitachi Semiconductor

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R1LP0108E 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit)

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Renesas Technology
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R1LP0408C Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 8-bit)

R1200 THRU R2000 HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 1200 to 2000 Volts Forward Current - 0.2 to 0.5 Ampere Features Low cost Low leakage Low forward voltage drop High current capability Mechanical Data Case: Molded plastic Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant Lead: MIL-STD-202 method
Hitachi Semiconductor
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datasheet R1LP0408C pdf
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R1200 THRU R2000 HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 1200 to 2000 Volts Forward Current - 0.2 to 0.5 Ampere Features Low cost Low leakage Low forward voltage drop High current capability Mechanical Data Case: Molded plastic Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant Lead: MIL-STD-202 method
Hitachi Semiconductor
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datasheet R1LP0408C pdf

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