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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | R8008ANX ROHM Semiconductor | Nch 800V 8A Power MOSFET R8008ANX
Nch 800V 8A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
800V
lOutline
RDS(on)(Max.)
1.03Ω
ID
±8A
TO-220FM
PD
66W
lFeatures
1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits ca |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| R8001CND | Power MOSFET ( Transistor ) R8001CND
Nch 800V 1A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
800V 8.7Ω ±1A 36W
lFeatures
1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free plating ; RoHS compliant
lOutline
TO-252
SC-63
CPT3
� |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| R8002ANJ | Power MOSFET ( Transistor ) R8002ANJ
Nch 800V 2A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on) (Max.)
ID PD
800V 4.3W 2A 40W
lOutline
LPT(S) (SC-83)
(2)
(1) (3)
lFeatures 1) Low on-resistance.
lInner circuit
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.
4) Drive circuits can be simple.
(1) Gate |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| R8002ANX | Nch 800V 2A Power MOSFET R8002ANX
Nch 800V 2A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on) (Max.)
ID PD
Features 1) Low on-resistance.
800V 4.3 2A 36W
Outline
TO-220FM
Inner circuit
(1) (2) (3) (2)
2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple.
(1)
(1) Gate |
ROHM Semiconductor |
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