RBV810 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 SILICON BRIDGE RECTIFIERS의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	RBV810 EIC discrete Semiconductors	SILICON BRIDGE RECTIFIERS RBV800 - RBV810 PRV : 50 - 1000 Volts Io : 8.0 Amperes FEATURES : * * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop High case dielectric strength of 2000 V DC Ideal for printed circuit board Very good heat dissipation
2	RBV810D EIC discrete Semiconductors	SILICON BRIDGE RECTIFIERS RBV800D - RBV810D PRV : 50 - 1000 Volts Io : 8.0 Amperes SILICON BRIDGE RECTIFIERS RBV25 3.9 ± 0.2 C3 30 ± 0.3 4.9 ± 0.2 3.2 ± 0.1 20 ± 0.3 FEATURES : * * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop High case
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RBV-1004B	Bridge Diodes (Schottky Barrier) Bridge Diodes (Schottky Barrier) Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) IFSM (A) Tj (°C) Tstg (°C) VF (V) max per element Electrical Characteristics (Ta = 25°C) IR (mA) VR = VRM max per element Others Rth ( j-c) IF , IRP (mA) (°C, W) Mass Fig. (g) 50H- With Half-cycl	Sanken electric
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RBV-1306	Bridge Diodes Bridge Diodes Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) With Heatsink Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Tstg (°C) VF (V) max per IF element (A) IR ( A) VR = VRM IR (H) ( A) VR=VRM, Tj=100°C Rth ( j-c) (°C, W) Others Mass Fig. (g) IFSM (A) 50H- Half-cycle Sinewave	Sanken electric
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RBV-1506	Bridge Diodes Bridge Diodes Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) With Heatsink Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Tstg (°C) VF (V) max per IF element (A) IR ( A) VR = VRM IR (H) ( A) VR=VRM, Tj=100°C Rth ( j-c) (°C, W) Others Mass Fig. (g) IFSM (A) 50H- Half-cycle Sinewave	Sanken electric

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