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RC28F256 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Intel StrataFlash Embedded Memory의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RC28F256 Intel Corporation | Intel StrataFlash Embedded Memory Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30)
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Product Features
■ High performance ■ Security 85, 88 ns initial access One-Time Programmable Registers: 64 unique factory device identifier bits 40 MH- with zero wait states, 20 ns clock-to 64 user-programmable OTP bits | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RC2 | Silicon And Fast Recovery Rectifiers RoHS
Silicon And Fast Recovery Rectifiers
TYPE
Maximum Maximum Peak Forward
Recurrent Average Surge Current
Peak Forward
Half
Reverse Rectified sine-wave
Voltage Current Superimposed
Maximum Forward Voltage
Maximum
DC
Reverse
Current TA=25 OC
Typical Reverse Recovery
Time
Package Style
T |
![]() WEJ |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RC2 | Fast-Recovery Rectifier Diodes Fast-Recovery Rectifier Diodes
Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) IFSM (A)
50H- Half-cycle Sinewave Single Shot
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Tstg (°C) VF (V) max IF (A) IR IR (H) ( A) ( A) VR = VRM VR = VRM max Ta =150°C max
Others
Tj (°C)
t rr ( s)
I |
![]() Sanken electric |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RC2 | Fast-Recovery Rectifier Diodes Fast-Recovery Rectifier Diodes
Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) IFSM (A)
50H- Half-cycle Sinewave Single Shot
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Tstg (°C) VF (V) max IF (A) IR IR (H) ( A) ( A) VR = VRM VR = VRM max Ta =150°C max
Others
Tj (°C)
t rr ( s)
I |
![]() Sanken electric |
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