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RD045120 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Tubular Capacitors의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RD045120 Vishay Siliconix | Tubular Capacitors RD 030100, RD 045120
Vishay Draloric
Tubular Capacitors, Screw & Band Mounting
RD 030100 7 KVP to 8 KVP
ø 45 (1.772 DIA)
7.4 + 0.2 Holes (0.291 + 0.008) ø 45 (1.772 DIA)
RD 045120 10 KVP to 11 KVP
ø 65 (2.559 DIA)
6.4 + 0.2 (0.252 + 0.008)
=
=
100 ± 2 (3.937 ± 0.08)
12 ± 1 (0.472 ± 0.0 | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RD00HHS1 | RoHS Compliance MITSUBISHI RF POWER MOS FET
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
RD00HHS1
4.4+, -0.1 1.6+, -0.1 LOT No. 3.9+, -0.3 3
1.5+, -0.1
0. 1
RoHS Compliance, DESCRIPTION
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,0.3W
OUTLINE DRAWING
1.5+, -0.1
RD00HHS1 is a MOS FET type transistor spe |
![]() Mitsubishi Electric |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RD00HVS1 | RoHS Compliance MITSUBISHI RF POWER MOS FET
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
RD00HVS1
4.4+, -0.1 1.6+, -0.1 LOT No.
3.9+, -0.3
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,0.5W DESCRIPTION
RD00HVS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF, UHF RF amplifiers |
![]() Mitsubishi Electric |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RD0106T | High-Speed Switching Diode
Ordering number : ENA1704
RD0106T
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
RD0106T
Features
Diffused Junction Silicon Diode
Low VF High-Speed Switching Diode
High breakdown voltage (VRRM=600V). Fast reverse recovery time. Low forward voltage (VF max=1.3V). Low switching noise. Halogen free co |
![]() Sanyo Semicon Device |
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