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RFG45N06 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 45A/ 60V/ Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RFG45N06 Fairchild Semiconductor | 45A/ 60V/ Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs S E M I C O N D U C T O R
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06, RF1S45N06SM
45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
Packages
JEDEC STYLE TO-247
SOURCE DRAIN GATE DRAIN (BOTTOM SIDE METAL)
December 1995
Features
45A, 60V rDS(ON) = 0.028Ω Temperature Compensating PSPICE Mod | ![]() |
2 | RFG45N06 Intersil Corporation | 45A/ 60V/ 0.028 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM
Data Sheet July 1999 File Number
3574.4
45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
These are N-Channel enhancement mode silicon gate power eld effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a speci ed level of ene | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFG30P05 | 30A/ 50V/ 0.065 Ohm/ P-Channel Power MOSFETs RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SM
Data Sheet July 1999 File Number
2436.4
30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic |
![]() Intersil Corporation |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFG30P06 | 30A/ 60V/ 0.065 Ohm/ P-Channel Power MOSFETs RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM
Data Sheet July 1999 File Number
2437.3
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic |
![]() Intersil Corporation |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFG40N10 | 40A/ 100V/ 0.040 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM
Data Sheet January 2002
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of |
![]() Fairchild Semiconductor |
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