RFG60P05E 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 60A/ 50V/ 0.030 Ohm/ ESD Rated/ P-Channel Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	RFG60P05E Fairchild Semiconductor	60A/ 50V/ 0.030 Ohm/ ESD Rated/ P-Channel Power MOSFET RFG60P05E Data Sheet January 2002 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET This is a P-Channel power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstandin
2	RFG60P05E Intersil Corporation	60A/ 50V/ 0.030 Ohm/ ESD Rated/ P-Channel Power MOSFET RFG60P05E Data Sheet July 1999 File Number 2745.6 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET This is a P-Channel power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RFG30P05	30A/ 50V/ 0.065 Ohm/ P-Channel Power MOSFETs RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SM Data Sheet July 1999 File Number 2436.4 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic	Intersil Corporation
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RFG30P06	30A/ 60V/ 0.065 Ohm/ P-Channel Power MOSFETs RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM Data Sheet July 1999 File Number 2437.3 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic	Intersil Corporation
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RFG40N10	40A/ 100V/ 0.040 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of	Fairchild Semiconductor

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