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RFP10N15 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (RFP10N12L / RFP10N15L) N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1RFP10N15

Intersil Corporation
10A/ 150V/ 0.300 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs

RFP10N15 Data Sheet March 1999 File Number 1445.3 10A, 150V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-channel enhancement-mode silicon-gate power eld effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for
Intersil Corporation
2RFP10N15

GE Solid State
(RFP10N12 / RFP10N15) N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

GE Solid State
3RFP10N15

Harris Semiconductor
(RFP10N12 / RFP10N15) N-Channel Power MOSFET

4U.com 4U.com 4U.com 4U.com 4U.com
Harris Semiconductor
4RFP10N15

New Jersey Semiconductor
10A 150V 0.300 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS

New Jersey Semiconductor

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RFP-10-100RV Flanged Resistors

Model RFP-10-100RV Rev. B Flanged Resistors 10 Watts, 100Ω General Specifications Resistive Element Substrate Cover Lead(s) Mounting Flange Operating Temperature Thick film Beryllium oxide ceramic Alumina Ceramic 99.99% pure Silver (.005” thk) Copper, Nickel plated per QQ-N-290 -55 to +150°C (
Anaren Microwave
Anaren Microwave
datasheet RFP-10-100RV pdf
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Model RFP-10-50TV Flanged Terminations 10 Watts, 50 Ω Flanged Terminations General Specifications Resistive Element: Substrate: Cover: Mounting Flange: Lead(s): Thick film Beryllium oxide ceramic Alumina ceramic Copper, nickel plated per QQ-N-290 99.99% pure silver (.005” thk) Features DC -
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RFP-10-50TVC Flanged Terminations

Model RFP-10-50TVC Flanged Terminations 10 Watts, 50 Ω Flanged Terminations General Specifications Resistive Element: Substrate: Cover: Mounting Flange: Lead(s): Thick film Beryllium oxide ceramic Alumina ceramic Copper, nickel plated per QQ-N-290 99.99% pure silver (.005” thk) Features DC -
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datasheet RFP-10-50TVC pdf

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