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RFW2N06RLE 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 2A/ 60V/ 0.160 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RFW2N06RLE Intersil Corporation | 2A/ 60V/ 0.160 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFET RFW2N06RLE
Data Sheet July 1999 File Number
2838.3
2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
The RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, power MOSFET is manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuit | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFW0836-10 | Power Amplifier Power Amplifier
Product Features
Small size by using simple matching circuit board Single Supply Voltage Heat sink 99.9% copper, gold plated High Productivity Low Manufacturing Cost GaAs HFET
RFW0836-10
Application
Cellular Repeater RF Sub-Systems Base Station
Package : DP-56
Descripti |
![]() RFHIC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFW0882-10 | Power Amplifier Power Amplifier
Product Features
Small size by using simple matching circuit board Single Supply Voltage Heat sink 99.9% copper, gold plated High Productivity Low Manufacturing Cost GaAs HFET
RFW0882-10
Application
Cellular Repeater RF Sub-Systems Base Station
Package : DP-56
Descripti |
![]() RFHIC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RFW0902-10 | Power Amplifier Power Amplifier
Product Features
Small size by using simple matching circuit board Single Supply Voltage Heat sink 99.9% copper, gold plated High Productivity Low Manufacturing Cost GaAs HFET
RFW0902-10
Application
GSM Repeater RF Sub-Systems Base Station
Package : DP-56
Description
Th |
![]() RFHIC |
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