RJP020N06FRA 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	RJP020N06FRA ROHM Semiconductor	Power MOSFET ( Transistor ) RJP020N06FRA 　　Nch 60V 2A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 60V 240mΩ ±2A 2W lFeatures 1) Low on-resistance 2) Low voltage drive(2.5V drive) 3) AEC-Q101 Qualified lOutline SOT-89 MPT3 　　　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Pack
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RJP020N06	Drive Nch MOS FET RJP020N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJP020N06 zStructure Silicon N-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm) MPT3 4.5 1.6 0.5 1.5 zFeatures 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1.0 2.5 4.0 0.4 0.4 1.5 0.5 1.5 3.0 0.4 zApplications Switc	ROHM Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RJP020N06FRA	Power MOSFET ( Transistor ) RJP020N06FRA 　　Nch 60V 2A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 60V 240mΩ ±2A 2W lFeatures 1) Low on-resistance 2) Low voltage drive(2.5V drive) 3) AEC-Q101 Qualified lOutline SOT-89 MPT3 　　　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Pack	ROHM Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RJP1CS03DWA	IGBT Preliminary Datasheet RJP1CS03DWT, RJP1CS03DWA 1250V - 30A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0826EJ0001 Rev.0.01 Jul 03	Renesas

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