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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RJP1CS04DWA Renesas | IGBT Preliminary Datasheet
RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA
1250V - 50A - IGBT Application: Inverter
Features
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05 | |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJP020N06 | Drive Nch MOS FET
RJP020N06
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJP020N06
zStructure Silicon N-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm)
MPT3
4.5 1.6
0.5
1.5
zFeatures 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive).
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5 4.0
0.4
0.4 1.5
0.5 1.5 3.0
0.4
zApplications Switc |
ROHM Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJP020N06FRA | Power MOSFET ( Transistor ) RJP020N06FRA
Nch 60V 2A Middle Power MOSFET
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
60V 240mΩ
±2A 2W
lFeatures
1) Low on-resistance 2) Low voltage drive(2.5V drive) 3) AEC-Q101 Qualified
lOutline
SOT-89
MPT3
lInner circuit
Datasheet
lPackaging specifications Pack |
ROHM Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJP1CS03DWA | IGBT Preliminary Datasheet
RJP1CS03DWT, RJP1CS03DWA
1250V - 30A - IGBT Application: Inverter
Features
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0826EJ0001 Rev.0.01 Jul 03 |
Renesas |
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