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RM20C1A-XXF 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RM20C1A-XXF Mitsubishi Electric Semiconductor | HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES
RM20DA, CA, C1A-XXF
HIGH SPEED SWITCHING USE
INSULATED TYPE
RM20DA, CA, C1A-XXF
DC current .................................. 20A Repetitive peak reverse voltage ...................... 600, 800, 1000, 1200V trr Reverse recovery time ............. 0.8 s Ins | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RM2 | Rectifier Diodes |
![]() Sanken electric |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RM2 | SILICON RECTIFIER DIODES RM2 - RM2Z
PRV : 200 - 1000 Volts Io : 1.2 Amperes
FEATURES :
* * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop
SILICON RECTIFIER DIODES
D2A
0.161 (4.1) 0.154 (3.9)
1.00 (25.4) MIN.
0.284 (7.2) 0.268 (6.8)
MECHANICAL DA |
![]() EIC discrete Semiconductors |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RM20 | Three-Phase Diode Bridge RM20TN-H
A S D G H
E R B R "Y" F P Z Q
~ ~ ~
TYP
+
N L
-
φ"X"
K J
T C
W
M
U
V
Description: Mitsubishi Three-Phase Diode Bridge Modules are designed for use in applications requiring rectification of three-phase AC lines into DC voltage. Each module consists of six diodes and the interc |
![]() Mitsubishi Electric Semiconductor |
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