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RU40C40M 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel Advanced Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | RU40C40M Ruichips | N-Channel Advanced Power MOSFET RU40C40M
Complementary Advanced Power MOSFET
Features
N-Channel 40V, 40A, RDS (ON) =12mΩ(Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =17mΩ(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -40V, -40A, RDS (ON) =21mΩ (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =30mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V Fast Switching Speed
ESD Protected Low gate Charge Lead Fre |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RU4 | Silicon And Fast Recovery Rectifiers RoHS
Silicon And Fast Recovery Rectifiers
TYPE
Maximum Maximum Peak Forward
Recurrent Average Surge Current
Peak Forward
Half
Reverse Rectified sine-wave
Voltage Current Superimposed
Maximum Forward Voltage
Maximum
DC
Reverse
Current TA=25 OC
Typical Reverse Recovery
Time
Package Style
T |
 WEJ |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RU4 | Fast-Recovery Rectifier Diodes
Fast-Recovery Rectifier Diodes
Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A)
( ) is with Heatsink
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Tstg (°C) VF (V) max IF (A) IR IR (H) ( A) ( A) VR = VRM VR = VRM max Ta =100°C max
Others
IFSM (A)
50H- Half-cycle Sinewave Single Shot |
 Sanken electric |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RU4 | HIGH EFFICIENCY ECTIFIERS BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
RU4Y(Z) --- RU4YX(Z)
VOLTAGE RANGE: 100 --- 1000 V CURRENT: 2.5 -- 4.0 A
HIGH EFFICIENCY ECTIFIERS
DO - 27
Diffused junction Low leakage Low forward voltage drop High current capability Easily cleaned with Alcohol,Isopropanol and similar solvents The plas |
 Galaxy Semi-Conductor |
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