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SDA10S120 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon Carbide Power Schottky Diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | SDA10S120 SemiSouth | Silicon Carbide Power Schottky Diode PRELIMINARY
Silicon Carbide Power Schottky Diode
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Temperature Independent Switching Behavior - 175 °C Maximum Operating Temperature - Zero Reverse Recovery Current - Zero Forward Recovery Voltage
3
Silicon Carbide
SDA10S120
Pro | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
SDA-1000 | GaAs Distributed Amplifier SDA-1000 GaAs Distributed Amplifier
Preliminary
SDA-1000
GaAs DISTRIBUTED AMPLIFIER
Die: 3.1mmx1.45mmx0.102mm
CONFIDENTIAL: NDA REQUIRED
Product Description
RFMD’s SDA-1000 is a directly coupled (DC) GaAs microwave monolithic integrated circuit (MMIC) distributed driver amplifier die designe |
![]() RF Micro Devices |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
SDA-2000 | GaAs Distributed Amplifier SDA-2000 GaAs Distributed Amplifier
Preliminary
SDA-2000
GaAs DISTRIBUTED AMPLIFIER
Die: 3.1mmx1.45mmx0.102mm
CONFIDENTIAL: NDA REQUIRED
Product Description
RFMD’s SDA-2000 is a directly coupled (DC) GaAs microwave monolithic integrated circuit (MMIC) distributed driver amplifier die designe |
![]() RF Micro Devices |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
SDA-2083 | (SDA2043 / SDA2063 / SDA2083) 8-Bit Single-Chip Microcontrollers |
![]() Infineon Technologies |
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