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SKIIP31NAB12 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 IGBT Power Module의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | SKIIP31NAB12 Semikron | IGBT POWER MODULE
SKiiP 31 NAB 12 Absolute Maximum Ratings
Symbol Inverter VCES VGES IC ICM IF = IC IFM = ICM Conditions 1) (Chopper see SKiiP 22 NAB 12) Values 1200 ± 20 45 , 30 90 , 60 38 , 26 76 , 52 1500 35 700 2400 40 . . . + 150 40 . . . + 125 2500 Units V V A A A A V A A A2s °C °C V
Theatsink = 2 |  |
| 2 | SKIIP31NAB12T11 Semikron | IGBT Power Module
6.LL3 1$% 7 $EVROXWH 0D[LPXP 5DWLQJV
6\PERO &RQGLWLRQV
,QYHUWHU 9&(6 9*(6 ,& ,&0 ,) ±,& ,)0 ±,&0 9550 ,' ,)60 , W 7M 7VWJ 9LVRO
9DOXHV
± ±
8QLWV
9 9 $ $ $ $ 9 $ $ $ V & & 9
&KRSSHU VHH 6.LL3 | |
데이터시트 다운로드 | |||
국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SKI-FF530 | Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP
1.0
Ta = 25 Relative luminous intensity ( % )
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0 730 770 810 850 890 930 970
Wavelength λ ( nm )
2
|
 ETC |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SKI03021 | N-channel Trench Power MOSFET 30 V, 85 A, 2.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI03021
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A RDS(ON) ----------- 2.6 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 110A) Qg------ 42.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS |
 Sanken |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SKI03036 | N-channel Trench Power MOSFET 30 V, 80 A, 3.2 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI03036
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------3.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 57.0 A) Qg------16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS |
Sanken |
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