SNN4010D 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-Ch Trench MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

SNN4010D의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	SNN4010D KODENSHI KOREA	N-Ch Trench MOSFET SNN4010D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device Low drain-source On resistance: RDS(on)=25mΩ (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test Ordering Information Part Number Mark
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SNN01Z10Q	Logic level N-CH Power MOWFET SNN01Z10Q Logic Level N-Ch Power MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Logic level gate drive Max. RDS(ON) = 0.24Ω at VGS = 10V, ID = 0.5A Low RDS(on) provides higher efficiency ESD protected: 2000V (HBM: ±1000V) Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Par	KODENSHI
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SNN01Z60Q	Logic Level gat Drive Application SN NN01Z Z60Q Q Logic Le evel N-Ch Po ower MOSFE ET L Logic Le evel Ga ate Drive App plicatio on Fe eatures Logic level l gate drive e Max. RDS(ON a VGS = 10V V, ID = 0.5A N) = 135mΩ at Low RDS(on) provides hi igher efficie ency ESD protec cted: 1000V V (HBM ±500 0V) Halogen fr ree and RoH H	KODENSHI KOREA
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SNN0310Q	Advanced N-Ch Trench MOSFET SNN0310Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V, 3A N-Channel Power Trench MOSFET Features Max. RDS(ON) = 150m at VGS = 10V, ID = 2A Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device Ordering In	KODENSHI KOREA

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2