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SPA-1426Z 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | SPA-1426Z RFMD | 0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER PreliminarySPA-1426Z
0.7GH- to 2.2GH- 1W InGaP HBT Amplifier
SPA-1426Z
0.7GH- to 2.2GH- 1W InGaP HBT AMPLIFIER
RoHS Compliant and Pb-Free Product Package: SOF-26
Product Description
RFMD’s SPA-1426Z is a high linearity single-stage class A Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) power amplifie |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1118 | Power Amplifier SPA-1118
Product Description
Sirenza Microdevices’ SPA-1118 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces reliab |
 Sirenza Microdevices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1118Z | Power Amplifier SPA-1118
Product Description
Sirenza Microdevices’ SPA-1118 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces reliab |
Sirenza Microdevices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1218 | Power Amp Preliminary
Product Description
Stanford Microdevices’ SPA-1218 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces r |
 Stanford Microdevices |
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