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SPA15N65C3 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | SPA15N65C3 Infineon Technologies | Power Transistor SPA15N65C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features Low gate charge Extreme dv, dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max Q g,typ 650 0.28 63 V Ω nC
PG-TO220-3-31
Type SPA1 |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1118 | Power Amplifier SPA-1118
Product Description
Sirenza Microdevices’ SPA-1118 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces reliab |
 Sirenza Microdevices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1118Z | Power Amplifier SPA-1118
Product Description
Sirenza Microdevices’ SPA-1118 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces reliab |
Sirenza Microdevices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SPA-1218 | Power Amp Preliminary
Product Description
Stanford Microdevices’ SPA-1218 is a high efficiency GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. These HBT amplifiers are fabricated using molecular beam epitaxial growth technology which produces r |
 Stanford Microdevices |
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