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SSH6N80 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Advanced Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | SSH6N80 Samsung Electronics | (SSH6N70 / SSH6N80) N-Channel Power MOSFETs w
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| 2 | SSH6N80AS Samsung Electronics | Advanced Power MOSFET w
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SSH10N60A | BV(dss): 600V / R(ds): 0.8Ohm / I(d): 10A / advanced power MOSFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 Ω (Typ.)
SSH10N60A
BVDSS = 600 V RDS(on) = 0.8 Ω ID = 10 A
TO-3 |
 Fairchild |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SSH10N60B | 600V N-Channel MOSFET SSH10N60B
November 2001
SSH10N60B
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, |
Fairchild |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| SSH10N70 | N-Channel Power MOSFETs |
 Samsung |
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