SSS4N80 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Advanced Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

SSS4N80의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	SSS4N80 Samsung	N-Channel Power MOSFETS
2	SSS4N80AS Fairchild Semiconductor	Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2.450 Ω (Typ.) SSS4N80AS BVDSS = 800 V RDS(on) = 3.0 Ω ID = 2.8 A TO-
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SSS1004	N-Channel enhancement mode power field effect transistors Main Product Characteristics VDSS RDS(on) 100V 3.7mΩ (typ.) ID 180A ① Features and Benefits TO-220 Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery	Silikron Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SSS1004	N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 3.4mΩ (typ.) ID 180A ① Features and Benefits TO-220 Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery	GOOD-ARK
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SSS1004A7	N-Channel enhancement mode power field effect transistors Main Product Characteristics VDSS RDS(on) 100V 3.0mΩ (typ.) ID 180A ① Features and Benefits TO-263-7L Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove	Silikron Semiconductor

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2