STGB10N60L 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	STGB10N60L ST Microelectronics	N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT ® STGB10N60L N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT TYPE STGB10N60L s V CES 600 V V CE(sat ) < 1.95 V IC 10 A s s s s s HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN) VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat) LOW THRESHOLD VOLTAGE (LOGIC LEVEL INPUT) HIGH CURRENT CAPABILITY OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURR
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
STG2017	Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor S T G 2017 S amHop Microelectronics C orp. May,18 2005 Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y V DS S 20V F E AT UR E S ( mW ) Max ID 7A R DS (ON) S uper high dense cell design for low R DS (ON ). 20 @ V G S = 4.5V 28 @ V G S = 2.5V R ugged and reliab	SamHop Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
STG2454	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Gr Pr STG2454 Ver 1.1 S a mHop Microelectronics C orp. Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V DSS 24V ID 7A R DS(ON) (m Ω) Max 17 @ VGS=4.0V 29 @ VGS=2.5V FEATURES Super high dense cell design for low R DS(ON). Rugged and reliable. Suface Mount Package. ESD	SamHop Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
STG2507	Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor S T G 2507 S amHop Microelectronics C orp. May,10 2005 Dual P -C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y V DS S -20V F E AT UR E S ( mW ) Max ID 6.2A R DS (ON) S uper high dense cell design for low R DS (ON ). 17 @ V G S = -4.5V 25 @ V G S = -2.5V R ugged and	SamHop Microelectronics

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