SIHFBC30 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	SiHFBC30 Vishay Siliconix	Power MOSFET ( Transistor ) IRFBC30, SiHFBC30 Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 31 4.6 17 Single D FEATURES 600 2.2 Dynamic dV, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
2	SiHFBC30A Vishay Siliconix	Power MOSFET ( Transistor ) IRFBC30A, SiHFBC30A Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 23 5.4 11 Single D FEATURES 600 2.2 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Ruggedness Available Improved Gate, Avalanche and Dynamic
3	SiHFBC30AL Vishay Siliconix	Power MOSFET ( Transistor ) IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 600 VGS = 10 V 23 5.4 11 Single I2PAK (TO-262) D2PAK (TO-263) 2.2 D G D S G S N-Channel MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC
4	SiHFBC30AS Vishay Siliconix	Power MOSFET ( Transistor ) IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 600 VGS = 10 V 23 5.4 11 Single I2PAK (TO-262) D2PAK (TO-263) 2.2 D G D S G S N-Channel MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SiHA12N60E	Power MOSFET ( Transistor ) www.vishay.com SiHA12N60E Vishay Siliconix E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK D G G DS S N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. RDS(on) max. ( ) at 25 °C Qg max. (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 650 VGS = 10 V 58 6 13 Single 0.38 ORDERING INFORMATION Package	Vishay
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SiHA14N60E	Power MOSFET ( Transistor ) www.vishay.com SiHA14N60E Vishay Siliconix E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK D G G DS S N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. RDS(on) typ. ( ) at 25 °C Qg max. (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 650 VGS = 10 V 64 8 13 Single 0.269 ORDERING INFORMATION Packag	Vishay
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SiHA15N60E	Power MOSFET ( Transistor ) www.vishay.com SiHA15N60E Vishay Siliconix E Series Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. RDS(on) max. at 25 °C (Ω) Qg max. (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 650 VGS = 10 V 76 11 17 Single 0.28 Thin-Lead TO-220 FULLPAK D G G DS S N-Channel MOSFET FEATURES Low figure-of-me	Vishay

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