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TGA2585-SM 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 18W GaN Power Amplifier의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | TGA2585-SM TriQuint Semiconductor | 18W GaN Power Amplifier Applications
Commercial and Military Radar
TGA2585-SM
2.7 to 3.7GHz, 18W GaN Power Amplifier
Product Features
Frequency Range: 2.7 - 3.7 GH- PSAT: 42.5 dBm PAE: > 50 % Small Signal Gain: 32 dB Return Loss: > 10 dB Bias: VD = 28 V (CW or Pulsed), IDQ = 225 mA,
VG = 2.5 V Typical Package Di | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
TGA1045 | Ku Band Power Amplifier Advance Product Information
Ku Band Power Amplifier TGA1045-EPU
Key Features and Performance
HFET Technology 12.5 -15.5 GH- Frequency Range > 3W Nominal Pout 24 dB Nominal Gain 9V @ 1.2A Bias
Primary Applications
Ku band Satellite Ground Terminal VSAT Point-to-Point Radio
Release Status
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![]() TriQuint Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
TGA1045-EPU | Ku Band Power Amplifier Advance Product Information
Ku Band Power Amplifier TGA1045-EPU
Key Features and Performance
HFET Technology 12.5 -15.5 GH- Frequency Range > 3W Nominal Pout 24 dB Nominal Gain 9V @ 1.2A Bias
Primary Applications
Ku band Satellite Ground Terminal VSAT Point-to-Point Radio
Release Status
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![]() TriQuint Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
TGA1055 | Ka Band 2 Watt Power Amplifier Advance Product Information
Ka Band 2 Watt Power Amplifier
Key Features and Performance
0.25 um pHEMT Technology 20 dB Nominal Gain 2W Nominal Pout -30 dBc IMR3 @ 26 dBm SCL Bias 7V @ 1.4 A Chip Dimensions 5.89 mm x 3.66 mm
TGA1055-EPU
Primary Applications
LMDS Point-to-Point Radio Satel |
![]() TriQuint Semiconductor |
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