|
|
TK4A55DA 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Field Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
TK4A55DA의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | TK4A55DA Toshiba Semiconductor | Field Effect Transistor TK4A55DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK4A55DA
Switching Regulator Applications
Ф3.2 ± 0.2 10 ± 0.3
Unit: mm
2.7 ± 0.2 A 3.9 3.0 1.14 ± 0.15 2.8 MAX. 2.54 1 2 3 2.6 ± 0.1 13 ± 0.5 0.69 ± 0.15 Ф0.2 M A
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Charact |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK40A06N1 | MOSFETs TK40A06N1
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H)
TK40A06N1
1. Applications
Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = |
Toshiba Semiconductor |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK40A08K3 | Field Effect Transistor TK40A08K3
東芝電界 果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅣ)
TK40A08K3
スイッチングレギュレ タ 用
- - - - オン抵抗が低い。 漏れ電流が低い。 :RDS (ON) = 7.0 mΩ (標準) :IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 75 V) 位: mm
順方向 達アドミタ� |
Toshiba Semiconductor |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK40A10J1 | Field Effect Transistor TK40A10J1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSⅢ)
TK40A10J1
Switching Regulator Applications
Unit: mm Small gate charge: Qg = 76nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 11.5 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S Lo |
Toshiba Semiconductor |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |