TK4A60DA 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	TK4A60DA 도시바	Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK4A60DA Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 Ω (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 600 V) Enhancement-
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
TK40A06N1	MOSFETs TK40A06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK40A06N1 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS =	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
TK40A08K3	Field Effect Transistor TK40A08K3 東芝電界果トランジスタシリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅣ) TK40A08K3 スイッチングレギュレタ用 - - - - オン抵抗が低い。漏れ電流が低い。 :RDS (ON) = 7.0 mΩ (標準) :IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 75 V) 位: mm 順方向達アドミタ�	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
TK40A10J1	Field Effect Transistor TK40A10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSⅢ) TK40A10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm Small gate charge: Qg = 76nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 11.5 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 90 S Lo	Toshiba Semiconductor

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