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TSM2N7002 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 60V N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1TSM2N7002

Taiwan Semiconductor Company		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TSM2N7002 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin assignment: 1. Gate 2. Source 3. Drain VDS = 60V RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 500mA = 7.5Ω RDS (on), Vgs @ 5V, Ids @ 50mA = 13.5Ω Features Advanced trench process technology High density cell design for low on-resistance High input impedance
Taiwan Semiconductor Company
2TSM2N7002E

Taiwan Semiconductor Company		50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TSM2N7002E 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin assignment: 1. Gate 2. Source 3. Drain VDS = 50V RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 250mA = 3Ω RDS (on), Vgs @ 5V, Ids @ 50mA = 4Ω Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High input impedanc
Taiwan Semiconductor Company
3TSM2N7002K

Taiwan Semiconductor Company		60V N-Channel MOSFET

TSM2N7002K 60V N-Channel MOSFET SOT-23 SOT-323 Pin Definition: 1. Gate 2. Source 3. Drain PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on)(Ω) 60 2 @ VGS = 10V 4 @ VGS = 4.5V ID (mA) 300 200 Features ● ● ● ● Low On-Resistance ESD Protected 2KV High Speed Switching Low Voltage Drive Block Diagram Orderi
Taiwan Semiconductor Company
4TSM2N7002KD

Taiwan Semiconductor		60V N-Channel MOSFET

TSM2N7002KD 60V N-Channel MOSFET SOT-363 Pin Definition: 1. Source 2 6. Drain 2 2. Gate 2 5. Gate 1 3. Drain 1 4. Source 1 PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on)(Ω) 60 2 @ VGS = 10V 4 @ VGS = 4.5V ID (mA) 300 200 Features ● ● ● ● Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage
Taiwan Semiconductor

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F-212 TSM 116 02 S DV LC (2,54mm) .100" TSM SERIES SMT .025" SQ POST HEADER TSM 118 01 T SV Mates with: SSW, SSQ, SSM, BSW, ESW, ESQ, BCS, SLW, CES, HLE, IDSS, IDSD, SMSD, SMSS SPECIFICATIONS For complete speci cations and recommended PCB layouts see www.samtec.com TSM Insulator Material
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