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UHBS30-2 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | UHBS30-2 Advanced Semiconductor | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR UHBS30-2
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI UHBS30-2 is Designed for
PACKAGE STYLE .230 6L FLG
A .040x45° 4X .025 R .115 .430 D E .125 G H F C B 2XØ.130
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
I J K L
9.0 A 5 |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| UHB10FT | Ultrafast Recovery Rectifier New Product
UH10FT & UHB10FT
Vishay General Semiconductor
Ultrafast Recovery Rectifier
FEATURES Oxide planar chip junction
TO-220AC TO-263AB K
Ultrafast recovery times Soft recovery characteristics Low switching losses, high efficiency
A
High forward surge capability Meets MSL level 1, pe |
 Vishay Siliconix |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| UHB20FCT | Dual Common-Cathode Ultrafast Recovery Rectifier
UH20FCT& UHB20FCT
New Product
Vishay General Semiconductor
Dual Common-Cathode Ultrafast Recovery Rectifier
FEATURES Oxide planar chip junction Ultrafast recovery times
K
TO-220AB
TO-263AB
Soft recovery characteristics Low switching losses, high efficiency
2
High forward surge capabilit |
Vishay Siliconix |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| UHBM45 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR UHBM45
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI UHBM45 is Designed for
PACKAGE STYLE .230 6L FLG FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
.040x45° 4X .025 R .115 .430 D E .125 G F H I J K L A C B 2XØ.130
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
9.0 A 36 V 18 |
Advanced Semiconductor |
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