VB10170C 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	VB10170C Vishay	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com VB10170C Vishay General Semiconductor Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A TMBS ® TO-263AB K 2 1 FEATURES Trench MOS Schottky technology Low forward voltage drop, low power losses High efficiency operation Meets MSL level
2	VB10170C-E3 Vishay	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com VB10170C-E3 Vishay General Semiconductor Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A TMBS ® TO-263AB K 2 1 FEATURES Trench MOS Schottky technology Low forward voltage drop, low power losses High efficiency operation Meets MSL le
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DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
VB10	Diode Schottky 150V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB	New Jersey Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
VB10	Diode Schottky 150V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB	New Jersey Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
VB100	Diode Schottky 150V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB	New Jersey Semiconductor