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VEC2315 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | VEC2315 온세미컨덕터 반도체 | Power MOSFET ( Transistor ) VEC2315
Power MOSFET 60V, 137mΩ, 2.5A, Dual P-Channel
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resista |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VEC2301 | General-Purpose Switching Device Applications Ordering number : ENN7647
VEC2301
P-Channel Silicon MOSFET
VEC2301
General-Purpose Switching Device Applications
Preliminary Features
Package Dimensions
unit : mm 2227
[VEC2301]
Top View 0.25 0.3 0.15 Bottom View 0.07
Best suited for load switches. Low ON-resistance. 2.5V drive. Composi |
 Sanyo Semicon Device |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VEC2302 | VEC2302 VEC2302
VEC2302
Ω Ω
VEC2302
8
0.25
7
6
5
0.3
0.15
8
7
6 5
0.25
1
2
2.9
3
0.65
4
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1
1 2 3 4
2.8
2.3
Top view
0.75
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 |
Sanyo Semicon Device |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VEC2303 | VEC2303 VEC2303
VEC2303
Ω Ω Ω
VEC2303
8
0.25
7
6
5
0.3
0.15
8
7
6 5
0.25
1
2
2.9
3
0.65
4
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1
1 2 3 4
2.8
2.3
Top view
0.75
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain |
Sanyo Semicon Device |
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