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VHB25-28F 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | VHB25-28F Advanced Semiconductor | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VHB25-28F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB25-28F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
.112 x 45° A Ø.125 NOM. FULL R J .125
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
C D
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VEBO VCEO PDISS TJ TSTG θ JC
O
F
E H I
G
4.0 A 65 V 4.0 V 3 |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VHB1-12T | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VHB1-12T
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB1-12T is Designed for
PACKAGE STYLE TO-39
B ØA 45° C
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
ØD E
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCER VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
F
400 mA (MAX) 40 V 20 V 40 V 2.0 V 3.5 W @ TC = 25 OC -65 C |
Advanced Semiconductor |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VHB1-28T | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VHB1-28T
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB1-28T is Designed for
PACKAGE STYLE TO-39
B ØA 45° C
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
ØD E
F
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
G
H
0.4 A 55 V 30 V 3.5 V 5 W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 O |
Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| VHB10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VHB10-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB10-12F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B .112 x 45° A Ø.125 NOM. FULL R J .125
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
C D F E H I
2.0 A 36 V 18 V 36 |
Advanced Semiconductor |
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