![]() |
|
VLB70-12S 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
VLB70-12S의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | VLB70-12S Advanced Semiconductor | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VLB70-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VLB70-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
ØC
D
H
I J
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θ JC 12.0 A 36 V 18 V 3.5 V 183 W @ TC = 25 C -65 OC to | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
|
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VLB10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VLB10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VLB10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VLB10-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
ØC
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC 2.0 A 36 V 18 V 36 V 4.0 V 20 W @ TC = 25 OC -65 OC to + |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VLB100-12 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VLB100-12
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VLB100-12 is Designed for
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45° A FULL R Ø.125 NOM. L
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
C B
E
D G
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θ JC 20 A 36 V 18 V 4.0 V 270 W @ TC = 25 |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |