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VMB70-12S 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | VMB70-12S Advanced Semiconductor | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VMB70-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VMB70-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
ØC
D
H
I J
MAXIMUM RATINGS
#8-32 UNC-2A
G F E
IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
12 A 36 V 18 V 3.5 V 183 W @ | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VMB10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VMB10-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VMB10-12F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B .112 x 45° A Ø.125 NOM. FULL R J .125
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
C D F E I GH
2.0 A 36 V 18 V 36 |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VMB10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VMB10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VMB10-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
ØC
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC
O
D
H
I J
2.0 A
#8-32 UNC-2A
G F E
36 V 18 V
DIM M |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
VMB100-12 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR VMB100-12
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VMB100-12 is Designed for
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
C A 2x ØN FULL R D
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B G .725, 18,42 F
E
K H
M L
MAXIMUM RATINGS
DIM
J
I
MINIMUM
inches , mm
MAXIMUM
inches , mm
IC VCBO VCEO |
![]() Advanced Semiconductor |
![]() |
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