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VP12 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs의 기능을 가지고 있습니다.

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검색 결과 목록

번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1VP12

Supertex Inc		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

Supertex Inc
2VP12

Supertex Inc		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

Supertex Inc
3VP12

Leshan Radio Company		HIGH-VOLTAGE DIODES

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. HVM5 HVM16 HVP5 HVP16 HIGH VOLTAGE DIODES MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase,half wave, 60Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate current by 20%. TYPE Maxim
Leshan Radio Company
4VP12

Rectron Semiconductor		HIGH VOLTAGE ASSEMBLIED RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 5000 to 16000 Volts CURRENT 0.75 Amperes)

RECTRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL SPECIFICATION HVP5 THRU HVP16 HIGH VOLTAGE ASSEMBLIED RECTIFIER VOLTAGE RANGE 5000 to 16000 Volts CURRENT 0.75 Amperes FEATURES * * * * * * Low cost Low leakage Isolated case Surge overload rating - 50 amperes peak Mounting position: Any Low forward voltage drop .
Rectron Semiconductor

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VP1000A Digital Voice Processor

VOICE FEATURES n n n n n n High quality voice & sound generation Record & playback with external SRAM Playback-only with external EPROM or ROM Stand-alone operation 32K x 8 direct memory addressing, expandable Single 5V DC supply voltage n n n n n n VP-1000A Digital Voice Processor Low power cons
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ETC		 datasheet VP1000A pdf
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VP1008CSM4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

VP1008CSM4 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 1.40 ± 0.15 (0.055 ± 0.006) 0.25 ± 0.03 (0.01 ± 0.001) 5.59 ± 0.13 (0.22 ± 0.005) FEATURES BVDSS =100V ID = 300mA 0.23 min. (0.009) 0.64 ± 0.08 (0.025 ± 0.003) 0.23 rad. (0.009) 3 2 1.27 ± 0.05
Seme LAB
Seme LAB		 datasheet VP1008CSM4 pdf

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