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WFF20N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | WFF20N60 Winsemi | Power MOSFET ( Transistor ) Features
20A,600V,RDS(on)(Max0.39Ω)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150℃)
WFF20N60
Silicon N-Channel MOSFET
General Description
This Power MOSFET is produced using Winsemi's advancedplanar s trip | ![]() |
2 | WFF20N60S Winsemi | Power MOSFET ( Transistor ) WFF20N60S
Silicon N-Channel MOSFET
Features
Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 65nC) 100% UIS Tested RoHS compliant
General Description
Winsemi Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology.The resulting device has extremely low on resistance,making it especiall | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
WFF | Fast Fusible Metal Film Resistors Fast Fusible Metal Film Resistors
WFF Series
Welwyn Components
Low power fusing Predictable fusing characteristics Flameproof protection
Electrical Data
WFF1, 4 Power rating at 70˚ C Resistance range Limiting element voltage TCR Resistance tolerance Standard values Thermal impedance Ambie |
![]() Welwyn Components Limited |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
WFF10N60 | N-Channel MOSFET HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET
WFF10N60
600V N-Channel MOSFET
Features
□ Low Intrinsic Capacitances □ Excellent Switching Characteristics □ Extended Safe Operating Area □ Unrivalled Gate Charge :Qg= 33nC (Typ.) □ BVDSS=600V,ID=10A □ RDS(on) :0.73 Ω (Max) @VG=10V □ 100% Avalanche |
![]() Wisdom technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
WFF10N60 | Silicon N-Channel MOSFET www.t.in
WFF10N60
Silicon N-Channel MOSFET
Features
10A,600V,RDS(on)(Max 0.75Ω)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(VISO=4000V AC) Improved dv, dt capability
General Description
This Power MOSFET is produced using Win |
![]() WINSEMI SEMICONDUCTOR |
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