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WFF20N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1WFF20N60

Winsemi
Power MOSFET ( Transistor )

Features 20A,600V,RDS(on)(Max0.39Ω)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150℃) WFF20N60 Silicon N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advancedplanar s trip
Winsemi
2WFF20N60S

Winsemi
Power MOSFET ( Transistor )

WFF20N60S Silicon N-Channel MOSFET Features Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 65nC) 100% UIS Tested RoHS compliant General Description Winsemi Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology.The resulting device has extremely low on resistance,making it especiall
Winsemi

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WFF Fast Fusible Metal Film Resistors

Fast Fusible Metal Film Resistors WFF Series Welwyn Components Low power fusing Predictable fusing characteristics Flameproof protection Electrical Data WFF1, 4 Power rating at 70˚ C Resistance range Limiting element voltage TCR Resistance tolerance Standard values Thermal impedance Ambie
Welwyn Components Limited
Welwyn Components Limited
datasheet WFF pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
WFF10N60 N-Channel MOSFET

HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET WFF10N60 600V N-Channel MOSFET Features □ Low Intrinsic Capacitances □ Excellent Switching Characteristics □ Extended Safe Operating Area □ Unrivalled Gate Charge :Qg= 33nC (Typ.) □ BVDSS=600V,ID=10A □ RDS(on) :0.73 Ω (Max) @VG=10V □ 100% Avalanche
Wisdom technologies
Wisdom technologies
datasheet WFF10N60 pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
WFF10N60 Silicon N-Channel MOSFET

www.t.in WFF10N60 Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,600V,RDS(on)(Max 0.75Ω)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(VISO=4000V AC) Improved dv, dt capability General Description This Power MOSFET is produced using Win
WINSEMI SEMICONDUCTOR
WINSEMI SEMICONDUCTOR
datasheet WFF10N60 pdf

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