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WNM2016 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | WNM2016 Will Semiconductor | N-Channel MOSFET WNM2016
N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
WNM2016
Http:, , www.willsemi.com
V(BR)DSS 20
Rds(on)
40 @ 4.5V 47 @ 2.5V 55 @ 1.8V
Descriptions
The WNM2016 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate cha |  |
| 2 | WNM2016 TY Semiconductor | N-Channel Power MOSFET / Transistor Product specification
WNM2016
N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
V(BR)DSS
Rds(on) 40 @ 4.5V
20
47 @ 2.5V 55 @ 1.8V SOT-23
Descriptions
The WNM2016 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS
(ON)
D 3
with low gate |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| WNM01N10 | MOSFET ( Transistor ) WNM01N10
Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET
VDS (V) 100
Typical Rds(on) (Ω) 0.235@ VGS=10V 0.255@ VGS=4.5V
Descriptions
The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This |
 WillSEMI |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| WNM01N11 | MOSFET ( Transistor ) WNM01N11
Single N-Channel, 110V, 1.8A, Power MOSFET
VDS (V) 110
Typical Rds(on) (Ω) 0.230@ VGS=10V 0.250@ VGS=4.5V
WNM01N11
Http:, , www.sh-willsemi.com
Descriptions
The WNM01N11 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excell |
WillSEMI |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| WNM05N60 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
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