WTC2310 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Enhancement Mode Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	WTC2310 Weitron Technology	Enhancement Mode Power MOSFET WTC2310 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 GATE 3 DRAIN DRAIN CURRENT 3 AMPERS DRAIN SOUCE VOLTAGE 60 VOLTAGE Features: SOURCE 2 3 1 2 Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) RDS(ON)<90mΩ@VGS=10V Rugged and Reliable Simple Drive Requirement SOT-23 Package SOT-23 Maximum R
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
WTC2301	Enhancement Mode Power MOSFET WTC2301 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P b Lead(Pb)-Free 1 GATE 3 DRAIN DRAIN CURRENT -2.3 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -20 VOLTAGE Features: Super High Dense Cell Design For Low R DS(ON) R DS(ON) <100mΩ @V GS =-4.5V Rugged and Reliable Simple Drive Requirement SOT-23 Package 2 SOU	Weitron Technology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
WTC2301	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET WTC2301 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P b Lead(Pb)-Free 1 GATE 3 DRAIN DRAIN CURRENT -2.3 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -20 VOLTAGE Features: Super High Dense Cell Design For Low R DS(ON) R DS(ON) <100mΩ @V GS =-4.5V Rugged and Reliable Simple Drive Requirement SOT-23 Package 2 SOU	Weitron Technology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
WTC2302	Enhancement Mode Power MOSFET WTC2302 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P b Lead(Pb)-Free 1 GATE 3 DRAIN DRAIN CURRENT 2.3 AMPERES DRAIN SOUCE VOLTAGE 20 VOLTAGE Features: Super High Dense Cell Design For Low R DS(ON) R DS(ON) <60m Ω@VGS =4.5V Rugged and Reliable Simple Drive Requirement SOT-23 Package 2 SOURCE 3	Weitron Technology

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