|
|
XP162A11C0PR 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOS FET의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
XP162A11C0PR의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | XP162A11C0PR Torex Semiconductor | Power MOS FET P-Channel Power MOS FET DMOS Structure Low On-State Resistance : 0.28 Ω (max) Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in SOT - 89 Package
Applications Notebook PCs Cellular and portable phones On - board power supplies Li - ion battery systems
General Description
The XP162A11COPR is |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1000 | GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-24.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1000 Chip Device Layout
Features
High Linearity Output Amplifier Balanced Design Provides Good Input, Output Match On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector 19.0 dB Small Signal Gain +36.0 dBm Third Order Intercept (OIP3 |
 Mimix Broadband |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1000-BD | GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-24.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2007 - Rev 02-May-07
P1000-BD Chip Device Layout
Features
High Linearity Output Amplifier Balanced Design Provides Good Input, Output Match On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector 19.0 dB Small Signal Gain +36.0 dBm Third Order Intercept (O |
Mimix Broadband |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1001 | GaAs MMIC Power Amplifier 26.0-40.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1001 Chip Device Layout
Features
High Linearity Wideband Amplifier On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector Balanced Design Provides Good Input, Output Match 11.0 dB Small Signal Gain +31.0 dBm Third Order Intercept (OI |
Mimix Broadband |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |